浮区熔化单晶体材料制备装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN92242780.1
IPC分类号：--
申请日期：
1992-12-19
申请人：
中国科学院金属研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	浮区熔化单晶体材料制备装置
申请号	CN92242780.1	申请日期	1992-12-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院金属研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市文化路72号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院金属研究所	当前权利人	中国科学院金属研究所
发明人	葛云龙;杨院生;焦育宁;刘清民;刘传胜;胡壮麒
代理机构	中国科学院沈阳专利事务所	代理人	朱光林

摘要

本结构属于单晶材料制备装置，其结构是在原料棒与单晶中间的熔区两侧加有热源，与热源光束垂直同时与料棒垂直且在熔区两侧加有磁极，使熔区内形成均匀磁场，磁场为环形磁铁，在环形磁铁的中间绕有线圈，磁场为恒定磁场，也可为交变磁场，磁极放在底座上。其优点是：把恒稳或交变磁场施加到浮区熔池上，固熔体置于外加磁场中，其流动便出现感生电流和磁场，以形成电磁制动力，保证晶体稳定生长，单晶质量好。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN104073881A	2014-03-04	2014-03-04	控制晶体光纤生长形貌的方法无效专利	美和学校财团法人美和科技大学

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