控制晶体光纤生长形貌的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410077083.4
IPC分类号：C30B29/60;C30B13/30;G02B6/02
申请日期：
2014-03-04
申请人：
美和学校财团法人美和科技大学

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专利名称	控制晶体光纤生长形貌的方法
申请号	CN201410077083.4	申请日期	2014-03-04
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-10-01	公开/公告号	CN104073881A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/60 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/60 以形状为特征的〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;6;0;;;C;3;0;B;1;3;/;3;0;;;G;0;2;B;6;/;0;2查看分类表>
申请人	美和学校财团法人美和科技大学	申请人地址	中国台湾屏东县内埔乡屏光路23号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美和学校财团法人美和科技大学	当前权利人	美和学校财团法人美和科技大学
发明人	陈平夷
代理机构	北京汇智英财专利代理事务所（普通合伙）	代理人	潘光兴

摘要

一种以浮动熔区方式控制晶体光纤形貌生长，致使其截面长成特定形貌的方法，该方法包括：以镭射光聚焦于一晶原棒位于其同一径向截面的二对称加热点上，且持续加热该晶原棒，使得其端部在镭射光作用下受热熔融而形成一半球状的熔区；以一籽晶沿该晶原棒的轴心线向下接触该熔区，并沿该轴心线移动该晶原棒朝该籽晶方向推挤，同时移动该籽晶朝远离该晶原棒方向拉伸，以在该籽晶移动速度大于该晶原棒移动速度，且维持二者间稳定速度差之下，使该熔区被拉伸形成一缩颈部；及以该籽晶持续提拉该缩颈部至长出一椭圆截面或薄体形貌的晶体光纤。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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