一种晶圆背面对准的工艺集成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510915731.3
IPC分类号：B81C99/00;H01L21/68
申请日期：
2015-12-10
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶圆背面对准的工艺集成方法
申请号	CN201510915731.3	申请日期	2015-12-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-20	公开/公告号	CN105502284A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C99/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C99/00 本小类其他各组中不包括的技术主题〔2010.01〕	IPC分类号	B;8;1;C;9;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	袁超
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;尹英

摘要

本发明公开了一种晶圆背面对准的工艺集成方法，包括在衬底正面沉积CMP阻挡层，在衬底中刻蚀形成用作对准标记的深槽，沉积填充材料，将深槽填满并平坦化，去除CMP阻挡层，然后继续完成衬底正面剩余的其它工艺，进行衬底背面研磨，将深槽中的填充材料露出，在衬底背面沉积掩蔽层，并采用光刻、刻蚀工艺完成衬底背面的图形化；本发明无需增加双面对准光刻机，即可利用同一对准标记进行晶圆背面与正面的对准，使得MEMS工艺与CMOS工艺更加兼容，并可降低制造成本。

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