具有凹槽结构的薄膜磁传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN202010272633.3
IPC分类号：G01R33/05
申请日期：
2020-04-09
申请人：
上海交通大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有凹槽结构的薄膜磁传感器
申请号	CN202010272633.3	申请日期	2020-04-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-24	公开/公告号	CN111443314A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/05 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/02 测量磁场或磁通量的方向或大小（G01R 33/20优先）〔4〕 G01R33/04 应用磁通控制原理 G01R33/05 在薄膜元件中〔3〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;0;5查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	文玉梅;周效宽;李平;王遥
代理机构	上海恒慧知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张宁展

摘要

一种具有凹槽结构的薄膜磁传感器，其特点是在两层矩形磁性膜之间设置一矩形的螺旋线圈构成，所述的矩形的螺旋线圈整体为平面螺旋结构；所述的矩形的螺旋线圈从矩形内部某一位置处顺时针或者逆时针螺旋绕出；所述的两层矩形磁性膜的内表面均有多组与其传感方向(即待测磁场方向，通常为薄膜长度方向)垂直的矩形的凹槽，该矩形的凹槽的组数与所述的矩形的螺旋线圈的匝数相等；所述的两层矩形磁性膜的矩形凹槽相对，将所述的矩形的螺旋线圈中与传感方向垂直的导体嵌入所述的矩形磁性膜的内部。本发明有效提高了薄膜磁传感器对外磁场的灵敏度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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