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MOS晶体管特性曲线仿真方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610024311.7
IPC分类号：G01R31/26;G01R31/00;G06G7/62
申请日期：
2006-03-02
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	MOS晶体管特性曲线仿真方法
申请号	CN200610024311.7	申请日期	2006-03-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-09-05	公开/公告号	CN101029916
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;R;3;1;/;0;0;;;G;0;6;G;7;/;6;2查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	苏鼎杰;刘丕均;何佳;朱辉
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明

摘要

本发明的仿真方法在仿真系统中添加补偿电阻网络，拟合仿真曲线与实测曲线。补偿电阻的值与实测系统中外部寄生电阻值相当，使得外部寄生电阻的分压作用被加入仿真模型中，仿真过程中施加在栅极上的电压更接近实测时施加在MOS晶体管栅极上的电压，因此得到的栅极电压-漏极电流仿真曲线更接近于实测曲线。

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