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像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201220610216.6
  • IPC分类号:G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
  • 申请日期:
    2012-11-16
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
著录项信息
专利名称像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器
申请号CN201220610216.6申请日期2012-11-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/1362IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8;;;G;0;2;F;1;/;1;3;4;3查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司
发明人申莹;涂志中;孙荣阁
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司代理人黄志华
摘要
本实用新型涉及液晶显示技术领域,特别涉及一种像素单元、TFT阵列基板及液晶显示器,用于减轻液晶显示器在显示画面时的色差,改善液晶显示器的显示画面品质。本实用新型公开了一种像素单元,包括:具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极,与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管TFT开关,以及与主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极,且耦合电极与被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。本实用新型同时还公开一种TFT阵列基板,包括具有上述技术特征的像素单元;本实用新型同时还公开一种ADS模式液晶显示器,包括具有上述技术特征的TFT阵列基板。

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