一种金属薄膜的制作方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201310224035.9
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/40
申请日期：
2013-06-06
申请人：
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种金属薄膜的制作方法及装置
申请号	CN201310224035.9	申请日期	2013-06-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-24	公开/公告号	CN104233202A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;4;0查看分类表>
申请人	北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司	申请人地址	北京市海淀区成府路298号方正大厦9层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司	当前权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人	李冠欣;崔晓娟;梁欣;陈珊;张玉娟
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	黄志华

摘要

本发明公开了一种金属薄膜的制作方法及装置，该方法包括：在真空的射频腔体内通入预设体积的惰性气体；将第一次溅射沉积操作后形成的第一物质传入射频腔体，其中第一物质表面包含第一金属薄膜和第一氧化薄膜，第一金属薄膜的厚度小于标准厚度，第一氧化薄膜形成在第一金属薄膜的表面；向射频腔体施加预设射频功率的电源以去除第一氧化薄膜获得第二物质；将第二物质通过真空的传输腔体传入真空的溅射沉积腔体，对第二物质进行第二次溅射沉积操作在第二物质表面形成第二金属薄膜，其中第一金属薄膜和第二金属薄膜的总厚度为标准厚度。本申请通过上述方法，解决了现有技术中补充沉积的金属薄膜与已有金属薄膜之间存在断层的技术问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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