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相变存储器及其制造方法和电子设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610044348.X
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2016-01-22
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称相变存储器及其制造方法和电子设备
申请号CN201610044348.X申请日期2016-01-22
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2017-08-01公开/公告号CN106997924A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人汪昌州
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本发明提供一种相变存储器及其制造方法和电子设备,在相变层顶部形成了一层氮浓度较大的第一顶部电极层以及一层电极金属浓度较大的第二顶部电极层,通过第一顶部电极层中富含的氮来抑制电极金属原子或离子向相变层中扩散,避免相变层内部相的分离并抑制与相变层的剥离,同时第二顶部电极层中富含的自由电极金属原子或金属离子,能够提高导电能力,减少功耗,且第一顶部电极层和第二顶部电极层的高低的含氮量能够调整对膜厚给相变层带来的膜压分布,进一步抑制相变层的剥离。

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