半导体器件、重布线层结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811361058.3
IPC分类号：H01L23/498;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
申请日期：
2018-11-15
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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专利名称	半导体器件、重布线层结构及其制造方法
申请号	CN201811361058.3	申请日期	2018-11-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-22	公开/公告号	CN111192862A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	吴秉桓;许文豪
代理机构	北京律智知识产权代理有限公司	代理人	袁礼君;阚梓瑄

摘要

本公开提供一种半导体器件、重布线层结构及重布线层结构的制造方法，涉及半导体技术领域。该重布线层结构包括基底、第一导电层、加强层和第二导电层。第一导电层设于基底，且具有第一焊垫区；加强层设于第一导电层远离基底的表面，且位于第一焊垫区；第二导电层覆盖加强层和第一导电层未被加强层覆盖的区域；加强层为导电材质，且加强层的材料的强度大于第一导电层和第二导电层。本公开的重布线层结构可提升半导体器件的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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