一种品字形高压发光二极管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201720014034.5
IPC分类号：H01L33/52;H01L33/62;H01L33/64;H01L25/075
申请日期：
2017-01-06
申请人：
江西联融新光源协同创新有限公司

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著录项信息

专利名称	一种品字形高压发光二极管
申请号	CN201720014034.5	申请日期	2017-01-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/52 封装〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人	江西联融新光源协同创新有限公司	申请人地址	江西省南昌市高新区京东大道168号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西联融新光源协同创新有限公司	当前权利人	江西联融新光源协同创新有限公司
发明人	熊新华;熊圣剑;肖强;李宁;邹燕玲;章玲涓
代理机构	南昌新天下专利商标代理有限公司	代理人	宋会英

摘要

本实用新型涉及一种发光二极管，尤其是一种品字形高压发光二极管。一种品字形高压发光二极管，包括支架、三颗LED芯片、对LED芯片电极进行内引线连接的金线、对LED芯片和金线进行包封的荧光胶，所述LED芯片品字形串联且相邻芯片首尾以最短金线进行连接。本实用新型与现有技术相比，具有如下优点1、三颗LED芯片错位装配增加了芯片总的出光效率，且不会造成光斑；2、增加芯片散热位置，提高散热效果；3、减少了芯片连接距离，节约了金线，降低了LED照明光源的成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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