具有应力调节的MEMS传感器芯片封装结构与方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110136443.3
IPC分类号：B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2021-02-01
申请人：
南京理工大学

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著录项信息

专利名称	具有应力调节的MEMS传感器芯片封装结构与方法
申请号	CN202110136443.3	申请日期	2021-02-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-11	公开/公告号	CN112938888A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	南京理工大学	申请人地址	江苏省南京市孝陵卫200号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京理工大学	当前权利人	南京理工大学
发明人	裘安萍;施芹;赵阳;夏国明
代理机构	南京理工大学专利中心	代理人	汪清

摘要

本发明公开了一种具有应力调节的MEMS传感器封装结构与方法，封装结构在MEMS传感器芯片衬底底部粘接有过渡片，过渡片底部镀有金层，金层图像关于MEMS传感器芯片结构中心对称；过渡片与管壳底部之间设有金锡焊层；芯片盖板上粘接有应力调节片，用于补偿MEMS工艺产生的残余应力，将MEMS传感器结构上的应力调节至合理值，使得MEMS传感器输出的温度系数在零附近，采用金锡焊工艺将过渡片粘接在管壳内，减小了封装应力对MEMS传感器敏感结构的影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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