超大功率垂直芯片的集成封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201520825589.9
IPC分类号：H01L33/62;H01L33/64;H01L33/48
申请日期：
2015-10-25
申请人：
复旦大学;上海迈芯光电科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	超大功率垂直芯片的集成封装结构
申请号	CN201520825589.9	申请日期	2015-10-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/62 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/62 向该半导体导入或自该半导体导出电流的装置，例如引线框架、焊线或焊球〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8查看分类表>
申请人	复旦大学;上海迈芯光电科技有限公司	申请人地址	上海市杨浦区邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学,上海迈芯光电科技有限公司	当前权利人	复旦大学,上海迈芯光电科技有限公司
发明人	张善端;韩秋漪;荆忠
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;盛志范

摘要

本实用新型属于半导体照明器件技术领域，具体为超大功率垂直芯片的集成封装结构。该集成封装结构中，大功率垂直芯片的负极焊盘与基板电极之间采用金属箔片来连接，实现了芯片的大电流稳定负载以及高导热性能。封装基板包括正极导电板、负极导电板和两者之间的绝缘导热层；垂直芯片的负极焊盘与金属箔片之间、金属箔片与负极导电板之间、芯片正极与正极导电板之间采用共晶焊接。本封装结构用金属箔片取代了连接芯片负极与封装基板负极的金线或铝线，解决了LED芯片与封装基板之间大电流传导的难题，提高了封装的散热性能，实现了可靠的高功率密度封装，可用于超大功率LED紫外、可见和红外照明系统。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供