具有应变与无应变晶体管的集成电路及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510071003.5
IPC分类号：--
申请日期：
2005-05-18
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有应变与无应变晶体管的集成电路及其制造方法
申请号	CN200510071003.5	申请日期	2005-05-18
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-11-30	公开/公告号	CN1702865
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈永修;章勋明
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

一种具有应变与无应变晶体管的集成电路及其制造方法，利用系统层次能带间隙的工程技术，针对元件中一些需有较高驱动电流通过的区域的结构加以改良。例如，可对p型金属氧化半导体元件中的应变源极/汲极以及对n型金属氧化半导体中的拉伸薄膜等这些部位。对此集成电路中无须有高驱动电流通过的其他区域，可采用习知的结构。也就是说，可在PMOS元件中采用硅锗磊晶，用以提升其载子的迁移率。其中，此SiGe磊晶层以分布在源极/汲极、元件间的接合或在通道的内部为佳。另外，可在部分NMOS元件中以及在需要提升电子迁移率的元件中采用拉伸薄膜。此拉伸薄膜以氮化硅层为佳，且以利用电浆沉积技术所制造的氮化硅接触窗蚀刻终止层为较佳。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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