一种VCSEL阵列芯片及制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810731832.9
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/343
申请日期：
2018-07-05
申请人：
扬州乾照光电有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种VCSEL阵列芯片及制作方法
申请号	CN201810731832.9	申请日期	2018-07-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108879325A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;3;4;3查看分类表>
申请人	扬州乾照光电有限公司	申请人地址	江苏省扬州市经济技术开发区东风河西路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	扬州乾照光电有限公司	当前权利人	扬州乾照光电有限公司
发明人	贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种VCSEL阵列芯片及制作方法，该制作方法包括提供一衬底；在衬底上生长第一半导体层，第一半导体层包括至少两个凹槽；在第一半导体层背离衬底的一侧形成第一光栅层，第一光栅层覆盖第一半导体层的侧壁；在第一光栅层背离第一半导体层的一侧形成MQW多量子阱层；在MQW多量子阱层背离第一光栅层的一侧形成第二光栅层，第二光栅层覆盖MQW多量子阱层的侧壁；在第二光栅层背离MQW多量子阱层的一侧形成第二半导体层；在第二半导体层背离第二光栅层的一侧第一保护层，第一保护层覆盖第二半导体层和第一光栅层和第二光栅层的侧壁；在多个凹槽内形成DBR反射镜结构，制作正面电极。该制作方法提高了芯片的出光效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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