半导体装置及其驱动方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201480017155.4
IPC分类号：G11C11/405
申请日期：
2014-03-14
申请人：
株式会社半导体能源研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其驱动方法
申请号	CN201480017155.4	申请日期	2014-03-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-18	公开/公告号	CN105074830A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/405 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/403 对多个存储单元共同进行电荷再生的，即，外部刷新〔5〕 G11C11/405 有三个电荷传输门的，例如每个单元多个MOS晶体管〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;5查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	大贯达也
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	李玲

摘要

提供了能够写入并读出所希望的电位的半导体装置。该半导体装置包括：第一晶体管(Tr)；第二Tr；以及电容器。在该半导体装置中，数据写入操作由第一步骤及第二步骤进行。在第一步骤中，将低电压施加到位线及第一布线以使第一Tr及第二Tr导通。在第二步骤中，将第一电压施加到第一布线并停止将低电压施加到位线。数据读出操作由第三步骤及第四步骤进行。在第三步骤中，将高电压施加到第一布线。在第四步骤中，停止将高电压施加到第一布线，并将低电压施加到电容线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供