用于场发射器的基片、其制造方法及其应用

发明专利无效专利

申请号：
CN201110077756.2
IPC分类号：H01J5/08;H01J9/20
申请日期：
2011-03-30
申请人：
西门子公司

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著录项信息

专利名称	用于场发射器的基片、其制造方法及其应用
申请号	CN201110077756.2	申请日期	2011-03-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-10-05	公开/公告号	CN102208307A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J5/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J5/00 通用于两种或两种以上基本类型的放电管或放电灯的外壳或引入线的零部件 H01J5/02 管壳；容器；与其相关的屏蔽；真空锁 H01J5/08 壳壁有涂层的；涂层材料的选择	IPC分类号	H;0;1;J;5;/;0;8;;;H;0;1;J;9;/;2;0查看分类表>
申请人	西门子公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西门子公司	当前权利人	西门子公司
发明人	海因里希·蔡宁格
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	谢强

摘要

本发明涉及一种用于场发射器的基片，该基片的制造方法及该基片的应用，特别是在计算机断层造影上的应用。该基片具有一个带有碳混合结构的涂层，该碳混合结构基于同素异形的石墨、石墨烯和纳米管。本发明涉及基于石墨层状结构的场发射器。通过本发明，首次获得一种用于场发射器的基片，该基片利用了基本上垂直地在该基片上立起并排列的“石墨峰”，以及利用了在导电的基片上的这些峰和在这些峰之间放置的CNTs的混合材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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