驻极体振膜的制造方法

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专利名称	驻极体振膜的制造方法
申请号	CN200810172354.9	申请日期	2008-10-31
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-09	公开/公告号	CN101729971A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04R31/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04R 扬声器、传声器、唱机拾音器或其他声—机电传感器；助听器；扩音系统（产生的声音和频率与电流频率无关的入G10K）〔6〕 H04R31/00 专用于制造传感器或其所用振膜的设备或方法	IPC分类号	H;0;4;R;3;1;/;0;0查看分类表>
申请人	宏达国际电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾桃园市兴华路23号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宏达国际电子股份有限公司	当前权利人	宏达国际电子股份有限公司
发明人	李芳庆
代理机构	北京润平知识产权代理有限公司	代理人	周建秋;王凤桐

摘要

本发明提供一种驻极体振膜的制造方法，该制造方法包括下列步骤：首先，将电介质薄膜通过粘结材料贴附在框架上，并将固定件抓附在电介质薄膜上表面的边缘以及框架上；接着，对电介质薄膜进行金属溅射处理，以形成导电材料层；最后，对电介质薄膜进行极化处理，从而制成驻极体振膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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