三维存储器及其制备方法、及电子设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202010140698.2
IPC分类号：H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11578
申请日期：
2020-03-03
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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专利名称	三维存储器及其制备方法、及电子设备
申请号	CN202010140698.2	申请日期	2020-03-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-19	公开/公告号	CN111312713A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11521 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/11521 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11551）〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;3;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	王恩博;张富山;阳涵;曾凡清
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	熊永强

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制备方法、及电子设备。制备方法包括：提供半导体器件，半导体器件包括栅线区、核心区、边缘区以及渐进区，其中渐进区位于核心区与边缘区之间，栅线区位于核心区、边缘区以及渐进区的外侧；在半导体器件上罩设第一掩膜，并以第一掩膜为掩膜刻蚀半导体器件以形成位于核心区的沟道孔和位于边缘区的接触孔，其中，第一掩膜的图案对应核心区和边缘区；在半导体器件上罩设第二掩膜，并以第二掩膜为掩膜刻蚀半导体器件以形成位于渐进区的渐进孔和位于栅线区的栅缝隙，其中，第二掩膜的图案对应栅线区和渐进区。本发明解决了在刻蚀沟道孔内的结构时，可能会影响渐进孔，破坏三维存储器的结构的技术问题。

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