半导体器件及其制造方法和半导体晶片

发明专利无效专利

申请号：
CN200610161031.0
IPC分类号：H01L23/482;H01L23/522;H01L21/768;H01L21/60
申请日期：
2006-12-04
申请人：
索尼株式会社

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专利名称	半导体器件及其制造方法和半导体晶片
申请号	CN200610161031.0	申请日期	2006-12-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-06-06	公开/公告号	CN1976015
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/482 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/482 由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	索尼株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼株式会社	当前权利人	索尼株式会社
发明人	伊藤睦祯
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	董方源

摘要

本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体芯片；在暴露所述半导体芯片的端电极的至少一部分的情况下覆盖所述半导体芯片的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的第二绝缘层；以及将所述半导体芯片的端电极经由所述第二绝缘层引出到与外部电路相连接的位置的重配线层；其中单独在所述端电极的存在区域或在覆盖从所述存在区域到所述第一绝缘层之上的区域中提供与所述端电极相连接的用于电镀的底层，并且所述重配线层的至少一部分是由在所述底层上形成的电镀层形成的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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