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EL显示装置和用于制造所述显示装置的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00128756.7
IPC分类号：H01L31/12;H01L27/15;H05B33/00
申请日期：
2000-09-15
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	EL显示装置和用于制造所述显示装置的方法
申请号	CN00128756.7	申请日期	2000-09-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-03-28	公开/公告号	CN1289151
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/12 与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的（场致发光光源本身入H05B 33/00）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;5;B;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;水上真由美;小沼利光
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	陈霁;张志醒

摘要

多个像素(102)被设置在底板上。每个像素(102)具有EL元件，其利用和电流控制TFT(104)相连的像素电极(105)作为阴极。在相对底板(110)上，在相应于每个像素(102)的周边的位置设置有光屏蔽膜(112)，同时在相应于每个像素的位置设置彩色滤光器(113)。光屏蔽膜使得像素的轮廓清晰，从而使得以高的清晰度显示图像。

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