形成精细图案的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010508383.5
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/311;H01L21/31
申请日期：
2010-10-15
申请人：
海力士半导体有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成精细图案的方法
申请号	CN201010508383.5	申请日期	2010-10-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-10-05	公开/公告号	CN102208330A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	朴昌汉;李银荷
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郭放;黄启行

摘要

本发明提供一种方法，包括以下步骤：在遍布第一区和第二区地延伸的刻蚀目标层之上形成硬掩模层；在第一区的硬掩模层之上形成牺牲层图案；在牺牲层图案的侧壁上形成间隔件图案之后，去除牺牲层图案；利用间隔件图案作为刻蚀阻挡层，选择性地刻蚀第一区的硬掩模层，并保护第二区的硬掩模层免于被刻蚀；去除间隔件图案；在第一区和第二区的硬掩模层之上形成切割掩模图案；利用切割掩模图案作为刻蚀阻挡层，来刻蚀第一区和第二区的硬掩模层；去除切割掩模图案；以及利用第一区和第二区的硬掩模层作为刻蚀阻挡层并对刻蚀目标层进行刻蚀，以分别在第一区和第二区中形成图案。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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