存储器件的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011387255.X
IPC分类号：H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11558
申请日期：
2020-12-02
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	存储器件的制作方法
申请号	CN202011387255.X	申请日期	2020-12-02
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-04-09	公开/公告号	CN112635473A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11524 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/11521 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11551）〔2017.01〕　 H01L27/11524 具有单元选择晶体管的，例如，NAND〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;9;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;4;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;8查看分类表>
申请人	华虹半导体（无锡）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区新洲路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华虹半导体（无锡）有限公司	当前权利人	华虹半导体（无锡）有限公司
发明人	李小康;徐杰;张家瑞;吴志涛;刘宁;宁红岩
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志

摘要

本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括对形成于衬底上的存储器件和测试器件表面的间隔层进行干法刻蚀；对间隔层进行第一次湿法刻蚀，对存储器件和测试器件的有源区的间隔层进行去除；进行离子注入；对间隔层进行第二次湿法刻蚀，使存储器件的字线，测试器件的栅极以及有源区的衬底暴露。本申请通过对间隔层进行干法刻蚀后，依次通过第一湿法刻蚀、离子注入和第二次湿法刻蚀，去除衬底表面、存储器件字线上方和存储器件的侧墙表面的间隔层，由于对干法刻蚀后的湿法去除过程进行了分解，提高了对间隔层进行去除的一致性且能够更为彻底地去除侧墙表面的间隔层，提高了器件的制造良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供