硅锭制造用容器

发明专利无效专利

申请号：
CN201180048725.2
IPC分类号：C01B33/02
申请日期：
2011-10-03
申请人：
吉坤日矿日石金属株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	硅锭制造用容器
申请号	CN201180048725.2	申请日期	2011-10-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-29	公开/公告号	CN103124693A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人	吉坤日矿日石金属株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	捷客斯金属株式会社	当前权利人	捷客斯金属株式会社
发明人	吉泽彰;清水孝幸;朝日聪明
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	肖日松;杨楷

摘要

提供了能够在硅锭制造中重复使用并且能够制造具有良好品质的硅锭的硅锭制造用容器。用于使硅熔融液凝固而使多晶硅生长的硅锭制造用容器为以下构成：在由氮化硅或碳化硅的多孔体构成的容器本体的内表面形成由氮化硅构成的脱模材料。另外，构成容器本体的多孔体的开口气孔率为10%以上40%以下。由于脱模材料牢固地形成于容器本体的内表面，因而能够有效地防止由于伴随硅凝固时的体积膨胀的应力而导致脱模材料损坏。另外，通过使容器的金属杂质浓度为10ppm以下，从而能够预防成为Si单晶生长的妨碍的熔融液面悬浮物SiC的生成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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