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蚀刻处理方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110047371.1
  • IPC分类号:H01L21/311;H01L21/027
  • 申请日期:
    2011-02-24
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社
著录项信息
专利名称蚀刻处理方法
申请号CN201110047371.1申请日期2011-02-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-09-21公开/公告号CN102194689A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/311
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社当前权利人东京毅力科创株式会社
发明人持木宏政;冈本晋;西岛贵史;山﨑文生
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明提供即使形成的图案的深宽比也能够防止图案变形的蚀刻处理方法。在对处理室15内部施加等离子体生成用的高频电力55、对基座12施加离子引入用的高频电力56、对上部电极板27施加负电位的直流电力的基板处理装置10中,改良在晶片W上的光致抗蚀膜45形成的图案44的形状时,用等离子体对光致抗蚀膜45进行蚀刻,使用该光致抗蚀膜45对SiO2膜40通过等离子体蚀刻时,对上部电极板27施加负电位的直流电力,同时以脉冲波状施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56,造成未施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56的状态。

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