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一种电涡流式接近开关用锰锌铁氧体材料、镀膜磁心及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210439433.8
  • IPC分类号:C04B35/26;C04B35/622
  • 申请日期:
    2012-11-07
  • 申请人:
    天通控股股份有限公司
著录项信息
专利名称一种电涡流式接近开关用锰锌铁氧体材料、镀膜磁心及其制备方法
申请号CN201210439433.8申请日期2012-11-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-02-20公开/公告号CN102936131A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/26IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;2;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人天通控股股份有限公司申请人地址
浙江省嘉兴市海宁市盐官镇郭店建设路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天通控股股份有限公司当前权利人天通控股股份有限公司
发明人董生玉;杜成虎;孙蒋平;龚佑辉;郁于松
代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司代理人徐关寿;吴关炳
摘要
本发明涉及电涡流式接近开关用锰锌铁氧体材料、镀膜磁心及其制备方法。该材料主成分为:Fe2O351.5~53mol%、Mn3O424.0~25.0mol%和ZnO20.5~22.5mol%;副成分为:纳米TiO20.50~1.00wt%、纳米SiO20.30~0.50wt%、纳米CaO1.00~1.50wt%、纳米Co2O30.05~0.35wt%和纳米SnO20.05~0.10wt%。采用氧化物法制备,模压成型,经烧结、磨削后,在磁芯外表面镀膜处理,过渡层为铬,目标层为钯。该材料在1MHz内ρ≥10Ω·m;在-55~25℃温度范围内αμir≤0.3~1.2×10-6/℃,25~100℃温度范围内,αμir≤0.4~1.6×10-6/℃。外表面镀膜的磁芯具有优异的电磁屏蔽性能,满足电涡流接近传感器对铁氧体材料高电阻率、小比温度系数、抗干扰能力强的要求。

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