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利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201320315244.X
IPC分类号：H02M7/537
申请日期：
2013-06-03
申请人：
宁波高新区日新科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路
申请号	CN201320315244.X	申请日期	2013-06-03
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M7/537 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M7/00 交流功率输入变换为直流功率输出；直流功率输入变换为交流功率输出 H02M7/42 不可逆的直流功率输入变换为交流功率输出的 H02M7/44 利用静态变换器的 H02M7/48 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的〔1，2007.01〕 H02M7/53 利用需要连续应用控制信号的三极管或晶体管器件的〔2〕 H02M7/537 仅用半导体器件的，例如，单开关脉冲逆变器〔2〕	IPC分类号	H;0;2;M;7;/;5;3;7查看分类表>
申请人	宁波高新区日新科技有限公司	申请人地址	浙江省宁波市科技园区院士路创业大厦1073室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宁波高新区日新科技有限公司	当前权利人	宁波高新区日新科技有限公司
发明人	刘晓
代理机构	宁波奥圣专利代理事务所（普通合伙）	代理人	邱积权

摘要

本实用新型公开了利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路，该电路包括H桥电路、电压放大电路、控制电路和功率管驱动电路，H桥电路与放大电路连接，放大电路的输出端与控制电路连接，控制电路通过功率管驱动电路驱动H桥电路；该方法利用上述的电路装置，通过短接跳线帽，连接负载，按下按钮开关来设定过载点，并将得到的数据存储于EEPROM存储单元。

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