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化学浴沉积设备和制备ZnS薄膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510166863.0
  • IPC分类号:C23C18/00
  • 申请日期:
    2015-04-09
  • 申请人:
    深圳先进技术研究院;香港中文大学
著录项信息
专利名称化学浴沉积设备和制备ZnS薄膜的方法
申请号CN201510166863.0申请日期2015-04-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-08公开/公告号CN104762611A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C18/00IPC分类号C;2;3;C;1;8;/;0;0查看分类表>
申请人深圳先进技术研究院;香港中文大学申请人地址
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳先进技术研究院,香港中文大学当前权利人深圳先进技术研究院,香港中文大学
发明人张倩;杨春雷;顾光一;熊治雨;王婷婷;程亚;肖旭东
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人吴平
摘要
本发明涉及一种化学浴沉积设备,包括反应器皿和化学浴锅,所述反应器皿置于所述化学浴锅中,所述反应器皿用于放置基片和反应液,在反应过程中,所述基片的反应面持续反复地、分部分地逐渐露出所述反应液的液面,并受到所述反应液的冲刷。该化学浴沉积设备,在化学浴沉积过程中基片的反应面持续反复地、分部分地逐渐露出所述反应液的液面,且受到反应液的冲刷,有利于快速制备薄膜材料,可应用于薄膜太阳能电池缓冲层如In2S3,In(OH)3,ZnS,CdS,Zn(1‑x)MgxO,ZnSe,ZnO等的制备,制得的薄膜厚度可控、缺陷少、均匀致密,从而提高薄膜太阳能电池的效率,并降低薄膜太阳能电池的制造成本。此外,本发明还提供了一种制备ZnS薄膜的方法。

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