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一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器及探测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710722271.1
  • IPC分类号:H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/115
  • 申请日期:
    2017-08-22
  • 申请人:
    北京世纪金光半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器及探测方法
申请号CN201710722271.1申请日期2017-08-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2017-11-10公开/公告号CN107342338A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0352IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;1;5查看分类表>
申请人北京世纪金光半导体有限公司申请人地址
北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京世纪金光半导体有限公司当前权利人北京世纪金光半导体有限公司
发明人袁俊;倪炜江;黄兴;杨永江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟
代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司代理人张宇锋
摘要
本发明公开了一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器及探测方法,所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括SiO2层、P‑well或N‑well、衬底和背面电极;其中,所述SiO2层的中心设置有CE电极,SiO2层下方的所述P‑well或N‑well内沿P‑well或N‑well的周向设置有若干个漂移环;SiO2层的外围周向设置有接地环GND。本申请采用宽禁带半导体材料来制作,雪崩区与光子收集区域分开,雪崩结区较小,能制作出比较低雪崩电压的器件;同时全耗尽的P‑Well区能减少载流子的复合;同时在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域,提高了量子效率;减小雪崩区域的面积,有助于减小暗电流和暗激发,同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高,防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。

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