蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610064861.1
IPC分类号：C23F1/24
申请日期：
2006-03-16
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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专利名称	蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法
申请号	CN200610064861.1	申请日期	2006-03-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-09-20	公开/公告号	CN1834292
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23F1/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23F 非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K 7/00；用激光束加工金属入B23K 26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理〔4〕 C23F1/00 金属材料的化学法蚀刻〔2〕 C23F1/10 蚀刻用组合物（C23F 1/44优先）〔4〕 C23F1/14 含水组合物〔4〕 C23F1/16 酸性组合物（C23F 1/42优先）〔4〕 C23F1/24 蚀刻硅或锗用的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;F;1;/;2;4查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈斐筠;吴子扬;陈世雄
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所	代理人	刘新宇

摘要

本发明提供一种蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法。本发明的蚀刻含硅材料的物质的方法，包括对一硅材料提供一含胺蚀刻剂；以及蚀刻该硅材料。本发明的形成微机械结构的方法包括提供至少一微机械结构层于一基底上方，微机械结构层是被一牺牲硅层所支撑着；利用一含胺蚀刻剂同时地蚀刻牺牲硅层以及前段步骤所造成的聚合物残留物。也就是说，本发明在使用含胺蚀刻剂的后段清洁程序中，一并去除牺牲层以及聚合物残留物，而不需增加额外的蚀刻制程。

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