一种硅纳米线探针结构的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410300612.2
IPC分类号：G01Q70/12
申请日期：
2014-06-27
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;东南大学

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著录项信息

专利名称	一种硅纳米线探针结构的制作方法
申请号	CN201410300612.2	申请日期	2014-06-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-17	公开/公告号	CN104049112A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01Q70/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01Q 扫描探针技术或设备；扫描探针技术的应用，例如，扫描探针显微术〔SPM〕〔2010.01〕 G01Q70/00 SPM探针的一般方面，其制造或有关的使用仪器，它们不专门适用于包括在大组G01Q 60/00中的单独的SPM技术〔2010.01〕 G01Q70/08 探针特征〔2010.01〕 G01Q70/10 形状或锥度〔2010.01〕 G01Q70/12 纳米管状尖端〔2010.01〕	IPC分类号	G;0;1;Q;7;0;/;1;2查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;东南大学	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所,东南大学	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所,东南大学
发明人	李铁;袁志山;陈云飞;梁晨;张啸;倪中华;易红;王跃林
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	李仪萍

摘要

本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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