一种钨基浸渍阴极及其制备方法

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专利名称	一种钨基浸渍阴极及其制备方法
申请号	CN201010173502.6	申请日期	2010-05-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-15	公开/公告号	CN101834106A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J23/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J23/00 H01J 25/00组中各种渡越时间型电子管的零部件 H01J23/02 电极；磁控装置；屏（与谐振腔或延迟系统相关的入H01J 23/16） H01J23/04 阴极	IPC分类号	H;0;1;J;2;3;/;0;4;;;H;0;1;J;9;/;0;2查看分类表>
申请人	安徽华东光电技术研究所	申请人地址	安徽省芜湖市弋江区高新技术开发区华夏科技园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽华东光电技术研究所	当前权利人	安徽华东光电技术研究所
发明人	吴华夏;方卫;孟昭红
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种钨基浸渍阴极，阴极基体由60～96％(重量百分比)钨粉、1～10％氧化锆粉以及余量为氧化钪粉三个组分组成，基体孔隙中浸渍铝酸盐，本发明具有大发射电流密度、长寿命、较低的工作温度、高工作稳定性等优点。本发明的另一方案是提供一种工艺简单、易于操作的钨基浸渍阴极制备方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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