一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源

发明专利有效专利

申请号：
CN201710650676.9
IPC分类号：G05F3/26
申请日期：
2017-08-02
申请人：
东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所

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专利名称	一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源
申请号	CN201710650676.9	申请日期	2017-08-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-11-24	公开/公告号	CN107390767A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G05F3/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G05 控制；调节 G05F 调节电变量或磁变量的系统（调节雷达或无线电导航系统中脉冲计时或脉冲重复频率的入G01S；专用于电子计时器中电流或电压的调节入G04G 19/02；用电装置调节非电变量的闭环系统入G05D；数字计算机的调节电源入G06F1/26；用于得到有衔铁时的所需电磁铁工作特性入H01F 7/18；调节电功率的配电网络入H02J；调节电池充电的入H02J 7/00；静态变换器输出的调节，例如开关式调节器入H02M；电发生器输出的调节入H02N，H02P 9/00；变压器、电抗器、或扼流圈的控制入H02P 13/00；调节放大器的频率响应、增益、最大输出、振幅或带宽的入H03G；调节谐振电路调谐的入H03J；控制电子振荡器或脉冲发生器的入H03L；调节传输线路特性的入H04B；控制电光源的入H05B 37/02，H05B 39/04，H05B 41/36；X射线设备的电气控制入H05G 1/30）〔4，5〕 G05F3/00 应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统 G05F3/02 调节电压或电流的 G05F3/08 其中变量是直流的 G05F3/10 利用具有非线性特性的非控制器件〔4〕 G05F3/16 非控制器件是半导体器件〔3〕 G05F3/20 应用了二极管与三极管的组合（G05F 3/18优先）〔3〕 G05F3/26 电流反射镜〔4〕	IPC分类号	G;0;5;F;3;/;2;6查看分类表>
申请人	东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所	申请人地址	江苏省无锡市新区菱湖大道99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学,东南大学—无锡集成电路技术研究所	当前权利人	东南大学,东南大学—无锡集成电路技术研究所
发明人	孙伟锋;田伟娜;陆扬扬;祝靖;陆生礼;时龙兴
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	柏尚春

摘要

一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源，设有启动电路、基准核心电路、由温度检测电路、温度逻辑开启电路和高低温温度补偿电路构成的温度补偿电路。启动电路向基准核心电路注入电流使其正常工作，基准核心电路基于阈值电压和热电压的一阶温度补偿原理，采用CMOS型自偏置电流产生电路产生电流并经过有源负载产生基准电压VREF，温度检测电路提取MOS器件的阈值电压进行温度检测，经温度补偿逻辑开启电路进行逻辑处理后输出给高低温温度补偿电路，高低温温度补偿电路针对对不同的工作温度范围进行补偿并将补偿结果反馈耦合到基准核心电路输出的基准电压中，实现宽温度工作条件下低温度系数和高电源抑制比的全MOS电压基准源。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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