加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810031141.4
  • IPC分类号:H01L43/00;H01L29/66;H01L21/00
  • 申请日期:
    2008-04-24
  • 申请人:
    湘潭大学
著录项信息
专利名称氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法
申请号CN200810031141.4申请日期2008-04-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-09-10公开/公告号CN101262040
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L43/00IPC分类号H;0;1;L;4;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人湘潭大学申请人地址
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘湘潭大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湘潭大学当前权利人湘潭大学
发明人王金斌;何春;钟向丽;周益春;郑学军
代理机构长沙市融智专利事务所代理人颜勇
摘要
本发明公开了一种氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构,由如下三层结构组成:底层为衬底,中层为氧化物稀磁半导体薄膜,上层为铁电体薄膜。所述的衬底为Si、蓝宝石、SrRuO3或其它钙钛矿氧化物衬底;所述的氧化物稀磁半导体薄膜为宽禁带氧化物ZnO、TiO2或SnO2薄膜,掺杂有过渡金属元素Mn、Fe、Co、Ni或Cr;所述的铁电体薄膜为锆钛酸铅、钛酸钕铋或钛酸锶钡薄膜。本发明还公开了2种所述氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构的制备方法:脉冲激光沉积法和溶胶凝胶法。所述的氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构在外加电场的作用下可对其铁磁性进行非挥发性调制,能广泛应用于电子计算机领域、自旋电子学领域及非挥发性存储器领域。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供