非易失性存储装置及其操作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810167435.X
IPC分类号：G11C16/10;G11C16/34
申请日期：
2008-09-26
申请人：
海力士半导体有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	非易失性存储装置及其操作方法
申请号	CN200810167435.X	申请日期	2008-09-26
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-04-01	公开/公告号	CN101399083
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道利川市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	李熙烈
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	杨林森;康建峰

摘要

本发明涉及非易失性存储装置的操作方法。在本发明的一方面，所述方法包括：对存储单元执行第一编程操作，测量参考存储单元的第一编程速度，将第一编程速度存储在编程速度存储单元中，重复执行编程/擦除操作直到编程/擦除操作的数量对应于特定参考值，当编程/擦除操作的数量对应于特定参考值时，测量参考存储单元的第二编程速度，计算第一编程速度和第二编程速度之间的差，根据所计算的编程速度差重置编程起始电压，以及基于重置的编程起始电压执行编程/擦除操作。

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