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氮化物半导体结构及半导体发光元件

发明专利有效专利

申请号：
CN201711123066.X
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32
申请日期：
2013-01-25
申请人：
新世纪光电股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氮化物半导体结构及半导体发光元件
申请号	CN201711123066.X	申请日期	2013-01-25
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-03-23	公开/公告号	CN107833956A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人	新世纪光电股份有限公司	申请人地址	中国台湾台南市善化区大利三路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	新世纪光电股份有限公司	当前权利人	新世纪光电股份有限公司
发明人	王信介;李玉柱;吴俊德;林京亮;李允立
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	罗英;臧建明

摘要

本发明关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层，发光层与P型半导体层间配置有一四元载子活性层，且四元载子活性层为氮化铝铟镓AlxInyGa1‑x‑yN，其中x及y为满足0

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