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一种检测接触孔底部钨栓缺失缺陷的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711132944.4
  • IPC分类号:H01L21/66;H01L21/768
  • 申请日期:
    2017-11-15
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种检测接触孔底部钨栓缺失缺陷的方法
申请号CN201711132944.4申请日期2017-11-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-04-17公开/公告号CN107919295A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人范荣伟
代理机构上海申新律师事务所代理人俞涤炯
摘要
本发明提供了一种检测接触孔底部钨栓缺失缺陷的方法,应用于半导体检测阶段,其中,包括以下步骤:对一晶圆进行离子注入,形成阱区;在所述晶圆表面生长一金属硅化物层;在所述金属硅化物表面形成一层间介质层,在所述层间介质层内形成钨栓;使用一检测机台对所述晶圆进行缺陷检测。有益效果:通过建立陷检测结构与对应的工艺流程,并调试对应的电子束扫描条件,建立针对以上问题的在线监控数据指标,从而为良率提升和产品研发做出贡献。

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