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一种面积高效的抗单粒子闩锁加固版图结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611244566.4
  • IPC分类号:H01L27/02;H01L27/092
  • 申请日期:
    2016-12-29
  • 申请人:
    北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
著录项信息
专利名称一种面积高效的抗单粒子闩锁加固版图结构
申请号CN201611244566.4申请日期2016-12-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-08-18公开/公告号CN107068674A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;9;2查看分类表>
申请人北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请人地址
北京市丰台区东高地四营门北路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所当前权利人北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
发明人赵元富;王亮;刘家齐;岳素格
代理机构中国航天科技专利中心代理人任林冲
摘要
本发明公开了一种面积高效的抗单粒子闩锁加固版图结构,通过优化版图结构的设计,基于这种单元形成的集成电路,能够使用较小的面积开销解决单粒子效应引起的闩锁问题。N型MOS晶体管和P型MOS晶体管间形成叉指交错的阱、衬底结构,并通过阱上形成的阱接触、衬底上形成的衬底接触进行电荷收集,使得N型MOS晶体管和P型MOS晶体管间寄生的PNPN结构不被高能粒子撞击所触发形成正反馈通路。以较小的面积开销解决了单粒子效应引起的闩锁问题。

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