具晶体管及导线的集成半导体电路

发明专利无效专利

申请号：
CN200480005541.8
IPC分类号：H01L27/112;H01L27/115;H01L21/8246;H01L21/8247
申请日期：
2004-03-01
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具晶体管及导线的集成半导体电路
申请号	CN200480005541.8	申请日期	2004-03-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-04-05	公开/公告号	CN1757113
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/112 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	因芬尼昂技术股份公司	当前权利人	因芬尼昂技术股份公司
发明人	J·沃尔拉斯
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚;李丙林

摘要

本发明与一种包含一晶体管与一导线(11)的集成半导体电路有关。所述的晶体管包含一第一与一第二源极/漏极电极(1、2)以及一栅极电极，所述的导线(11)与一半导体基板相互电绝缘并且在所述的晶体管的区域上形成所述的栅极电极，而且所述的导线(11)在所述的晶体管区域上沿着一第一方向(x)延伸。根据本发明，所述的第二源极/漏极电极(2)排列成在所述的第一方向(x)上与所述的第一源极/漏极电极(1)相互偏移。因此，所形成的晶体管具有一反向沟道(K1)，其延伸于所述的第一与第二源极/漏极电极上彼此相互面对的两个角落区域(1a、2a)间，亦即具有此传统的晶体管更狭窄的沟道，其可制造更紧密的半导体电路。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供