碳化硅半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201380036253.8
IPC分类号：--
申请日期：
2013-06-18
申请人：
住友电气工业株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	碳化硅半导体器件及其制造方法
申请号	CN201380036253.8	申请日期	2013-06-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-18	公开/公告号	CN104428878A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府大阪市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	日吉透;内田光亮;增田健良
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	李兰;孙志湧

摘要

该制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括以下步骤。制备碳化硅衬底(10)；执行在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底(10)的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，执行在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将碳化硅衬底(10)加热到1300‑1500℃的温度的第二加热步骤；在所述第二加热步骤之后，执行在第一惰性气体气氛中加热碳化硅衬底(10)的第三加热步骤。这允许提供具有低阈值电压变化的碳化硅半导体器件(100)及其制造方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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