一种退火处理形成电荷存储结构的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810212709.6
IPC分类号：H01L21/02;H01L27/11568
申请日期：
2018-03-06
申请人：
安阳师范学院

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著录项信息

专利名称	一种退火处理形成电荷存储结构的方法
申请号	CN201810212709.6	申请日期	2018-03-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-09-04	公开/公告号	CN108493096A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8查看分类表>
申请人	安阳师范学院	申请人地址	河南省安阳市弦歌大道436号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安阳师范学院	当前权利人	安阳师范学院
发明人	汤振杰;李荣;胡丹
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种退火处理形成电荷存储结构的方法，通过退火过程，借助单层多组元金属氧化物(M)x(N)1‑x薄膜退火过程中低结晶温度M析晶、扩散和重新分布的特点，自发形成富N的(M)x(N)1‑x隧穿层/富M的(M)x(N)1‑x存储层/富N的(M)x(N)1‑x阻挡层电荷存储结构，其中M可在ZrO2、HfO2、La2O3、TiO2中任选一种，N可在SiO2、Al2O3中任选一种。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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