一种合成镍钴铁氧化物三维立式纳米片结构电极材料的方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202010132488.9
IPC分类号：H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86
申请日期：
2020-02-29
申请人：
北京工业大学

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专利名称	一种合成镍钴铁氧化物三维立式纳米片结构电极材料的方法和应用
申请号	CN202010132488.9	申请日期	2020-02-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-23	公开/公告号	CN111326348A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G11/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G11/00 混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层（EDL）电容器；其制造方法或其零部件的制造方法〔2013.01〕 H01G11/22 电极〔2013.01〕 H01G11/24 以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;4;6;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	范爱玲;谢登奎;曹小强;庞伟
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	刘萍

摘要

一种合成镍钴铁氧化物三维立式纳米片结构电极材料的方法和应用属于超级电容器储能领域。本发明的方法是将镍盐、钴盐、铁盐溶入乙醇、乙二醇和水的混合溶液中并搅拌均匀，然后把处理过的泡沫镍浸入上述溶液中，溶剂热反应一段时间，把覆盖有反应生成物的泡沫镍取出烘干后，即可得到镍钴铁氧化物三维立式纳米片结构电极材料。这种方法直接在泡沫镍上生长电极材料，无粘结剂的使用，增加了导电性和机械稳定性。同时镍、钴、铁三者之间的复合，在发生协同作用的同时，能提高结构稳定性，避免团聚现象的产生，提高表面积。本方法操作简单，安全环保，可控性强，原料廉价易得，适合大规模生产和工业应用的需要。

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