K0.5Na0.5NbO3单晶的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410395008.2
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/30
申请日期：
2014-08-12
申请人：
哈尔滨工业大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	K0.5Na0.5NbO3单晶的制备方法
申请号	CN201410395008.2	申请日期	2014-08-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-11-05	公开/公告号	CN104131333A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;0查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	田浩;周忠祥;胡程鹏;孟祥达
代理机构	哈尔滨市文洋专利代理事务所（普通合伙）	代理人	王艳萍

摘要

K0.5Na0.5NbO3单晶的制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的铌酸钾钠单晶尺寸较小、内应力大的技术问题。本方法如下：将K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合放入坩埚内加热，再在生长炉中生长，采用顶部籽晶助熔剂法，在籽晶杆转速为10～25r/min的条件下旋转到单晶放肩至8mm～12mm，然后在提拉速度为2～2.5mm/h的条件下将单晶提拉至12mm～25mm，再将单晶提出，降至室温，即得。本发明的铌酸钾钠的单晶尺寸可为11mm×11mm×15mm。实现了缺陷少，漏电流小、压电常数大的铌酸钾钠单晶的制备。本发明属于单晶的制备领域。

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