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电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980147901.0
  • IPC分类号:C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/08;C22F1/00;C22F1/02
  • 申请日期:
    2009-11-20
  • 申请人:
    JX日矿日石金属株式会社
著录项信息
专利名称电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法
申请号CN200980147901.0申请日期2009-11-20
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-10-26公开/公告号CN102227510A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22C9/06IPC分类号C;2;2;C;9;/;0;6;;;C;2;2;C;9;/;0;0;;;C;2;2;C;9;/;0;1;;;C;2;2;C;9;/;0;2;;;C;2;2;C;9;/;0;4;;;C;2;2;C;9;/;0;5;;;C;2;2;C;9;/;1;0;;;C;2;2;F;1;/;0;8;;;C;2;2;F;1;/;0;0;;;C;2;2;F;1;/;0;2查看分类表>
申请人JX日矿日石金属株式会社申请人地址
日本东京港区虎之门二丁目10番4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人捷客斯金属株式会社当前权利人捷客斯金属株式会社
发明人桑垣宽
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人庞立志;高旭轶
摘要
本发明提供Cu-Ni-Si-Co系铜合金,其能够以高水平实现强度与导电率,同时抗永久变形性也优异。电子材料用铜合金,其是含有Ni:1.0~2.5质量%、Co:0.5~2.5质量%、Si:0.3~1.2质量%,且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金,其中,母相中析出的第二相粒子中,粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为1×1012~1×1014个/mm3;粒径为5nm以上、小于20nm的粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示,为3~6。

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