一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件及其制作工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN201310387860.0
IPC分类号：H01L23/495;H01L21/50;H01L21/60
申请日期：
2013-08-31
申请人：
华天科技（西安）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件及其制作工艺
申请号	CN201310387860.0	申请日期	2013-08-31
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-02-05	公开/公告号	CN103560121A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/495 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/495 引线框架的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	华天科技（西安）有限公司	申请人地址	陕西省西安市经济技术开发区凤城五路105号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华天科技（西安）有限公司	当前权利人	华天科技（西安）有限公司
发明人	郭小伟;蒲鸿鸣;谢建友;李万霞;崔梦
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件及其制作工艺，所述封装件主要由引线框架、镀银层、植球、芯片、键合线和塑封体组成。所述制作工艺的主要流程如下：晶圆减薄→划片→框架镀银层→镀银层上植球→上芯→压焊→塑封→蚀刻引线框架→成品。本发明的芯片不再需要制作特殊的图形，即可实现不同尺寸的芯片无需特殊设计也能在同一条框架上完成生产流程，节约生产成本，提高产品的生产能力。

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