一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010393189.0
IPC分类号：H01C7/04;H01C17/12;H01C17/14;C23C14/10;C23C14/35;C23C14/46
申请日期：
2020-05-11
申请人：
上海交通大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法
申请号	CN202010393189.0	申请日期	2020-05-11
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-01	公开/公告号	CN111613400A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C7/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C7/00 用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器（由疏松的粉末材料或颗粒材料组成的入H01C 8/00；有电位跃变势垒或表面势垒的电阻器，如场效应电阻器入H01L 29/00；对电磁辐射或微粒子辐射敏感的半导体器件，如光敏电阻器入H01L 31/00；磁场控制电阻器入H01L 43/08体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕 H01C7/04 具有负温度系数的	IPC分类号	H;0;1;C;7;/;0;4;;;H;0;1;C;1;7;/;1;2;;;H;0;1;C;1;7;/;1;4;;;C;2;3;C;1;4;/;1;0;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;4;6查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	付学成;程秀兰;王英;乌李瑛;权雪玲
代理机构	上海汉声知识产权代理有限公司	代理人	胡晶

摘要

本发明公开了一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法；所述薄膜是以VO2，Mg2V2O5为主要成分的一种玻璃态多混合材料。制备时，在高真空条件下，在衬底上对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射沉积薄膜。本发明尤其利用镁原子优异的还原性能，将五氧化二钒中﹢5价钒，降价还原﹢4价制备NTC薄膜。通过改变加在镁靶和五氧化二钒靶的功率，调节薄膜中不同成分的比例，同时还可调节薄膜电阻升降温热滞，以及电阻率。相比传统制备NTC薄膜方法，本发明制备薄膜更简单，快捷，高效，且兼容各种衬底；制备出的NTC薄膜不需要高温退火，结晶状况良好；且在室温条件下具有电阻温度系数高，热滞宽度小，薄膜电阻率低，材料常数高等特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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