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功率器件的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210552258.3
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2012-12-18
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称功率器件的制造方法
申请号CN201210552258.3申请日期2012-12-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103871838A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人国天增
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种功率器件的制造方法,包括步骤:步骤一、在硅片的正面完成正面工艺,包括涂布聚酰亚胺。步骤二、对硅片背面进行减薄,进行背面离子注入和退火激活。步骤3a、采用湿法旋转刻蚀工艺对硅片背面进行处理。步骤3b、用带有兆声波的去离子水对硅片进行水洗。步骤3c、采用氮气吹干加高速甩干的方法对硅片背面进行干燥。步骤四、形成背面金属。本发明能消除聚酰亚胺对硅片背面的污染,避免背面金属剥落,能适用于大规模生产的需要。

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