一种二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010590301.6
IPC分类号：C30B7/10;C30B29/16;C30B29/62
申请日期：
2010-12-14
申请人：
桂林理工大学

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专利名称	一种二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的制备方法
申请号	CN201010590301.6	申请日期	2010-12-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-08	公开/公告号	CN102086528A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B7/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B7/00 常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长（用熔融溶剂的入C30B 9/00）；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B7/10 加压法，例如水热法〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;7;/;1;0;;;C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;6;2查看分类表>
申请人	桂林理工大学	申请人地址	天津华苑产业区华天道8号海泰信息广场F座315室-22 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津蕙俐邦环保科技有限公司	当前权利人	天津蕙俐邦环保科技有限公司
发明人	王海;李惠敏
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的制备方法。本发明以分析纯钛酸丁酯、柠檬酸、尿素和去离子水作为起始原料。将上述四种原料的混合物转移到高温反应釜(聚四氟乙烯内衬)内，在恒温干燥箱内在180～230℃下保温20～36小时，自然冷却到室温。所获得薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后在干燥箱内在60～80℃下干燥24个小时即制得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜。本发明提供的水热反应条件下制备二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的方法简单可行，结果可重复性好。

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