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利用光延迟自注入DBR激光器得到微波的装置及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910088392.0
  • IPC分类号:H01S5/06;H01S5/125;G02F1/35
  • 申请日期:
    2009-06-26
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称利用光延迟自注入DBR激光器得到微波的装置及方法
申请号CN200910088392.0申请日期2009-06-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-12-29公开/公告号CN101931162A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01S5/06IPC分类号H;0;1;S;5;/;0;6;;;H;0;1;S;5;/;1;2;5;;;G;0;2;F;1;/;3;5查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人张红广;客建红;满江伟;袁海庆;谢亮;祝宁华
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汤保平
摘要
一种利用光延迟自注入DBR激光器得到微波的装置,包括:一方波发射器;一DBR激光器,该DBR激光器经一电阻与方波发射器的输出端连接;一3dB的耦合器,该3dB的耦合器的两个输入端的一端与DBR激光器的输出端连接;一搀铒光纤放大器,该搀铒光纤放大器的输入端与3dB的耦合器的两个输出端的一端连接,该搀铒光纤放大器的输出端经光纤延迟线返回接入3dB的耦合器的另一输出端;一高频光探测器,该高频光探测器的输入端与3dB的耦合器的另一输入端连接;一频谱仪,该频谱仪的输入端与高频光探测器的输出端连接。

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