加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

具有T形栅极电极的场效应晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810207859.8
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2018-03-14
  • 申请人:
    格芯公司
著录项信息
专利名称具有T形栅极电极的场效应晶体管
申请号CN201810207859.8申请日期2018-03-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-09-25公开/公告号CN108574006A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人格芯公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格芯(美国)集成电路科技有限公司当前权利人格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人史蒂芬·M·宣克;亚文·J·乔瑟夫;约翰·J·艾利斯蒙纳翰
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明涉及具有T形栅极电极的场效应晶体管,揭露场效应晶体管的装置结构以及形成场效应晶体管的装置结构的方法。形成第一介电层,以及在该第一介电层上形成第二介电层。形成垂直延伸穿过该第一及第二介电层的开口。在形成该第一开口以后,通过选择性蚀刻工艺相对该第一介电层横向凹入该第二介电层,以相对垂直延伸穿过该第一介电层的该开口的一部分,加宽垂直延伸穿过该第二介电层的该开口的一部分。在横向凹入该第二介电层以后,形成栅极电极,该栅极电极包括位于垂直延伸穿过该第一介电层的该开口的该部分中的窄段以及位于垂直延伸穿过该第二介电层的该开口的该部分中的宽段。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供