一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310337248.2
IPC分类号：H01G9/20;H01G9/042;H01B5/00
申请日期：
2013-08-05
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法
申请号	CN201310337248.2	申请日期	2013-08-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-20	公开/公告号	CN103400699A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/058 （转入H01G 11/22）〔6〕 H01G9/20 光敏器件	IPC分类号	H;0;1;G;9;/;2;0;;;H;0;1;G;9;/;0;4;2;;;H;0;1;B;5;/;0;0查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	刘丹青;刘绍琴;杨彬
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	牟永林

摘要

一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法，它涉及一种阵列电极及其制备方法。本发明是要解决ZnO纳米材料在可见光下光催化效率低，对太阳光的利用率低的技术问题。本发明的制备方法按以下步骤进行：一、以导电玻璃为基底，采用水热法制得高度有序的ZnO纳米棒阵列；二、在上述ZnO纳米棒阵列表面交替沉积聚电解质和量子点颗粒，获得均匀包覆的量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极。本发明制备光电极的方法对ZnO纳米棒阵列的长度和包覆的量子点的厚度可控；本发明制得的电极在可见光照射下，表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性。本发明用于光电催化降解环境污染物、光电催化合成和光解水产氢领域。

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